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Central Semiconductor Corp 中央半导体

Central

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丝印：
外壳：
封装：TO-116
料号：JTG4-2453
包装： 管件
参考价格:￥4.949400
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外壳：
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包装： 管件
参考价格:￥4.949400
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品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
描述： TRANSISTOR PNP QUAD SMD
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封装：TO-116
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参考价格:￥4.949400
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丝印：
外壳：
封装：TO-78-6
料号：JTG4-2775
包装：
参考价格:￥4.949400
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可供数量:咨询
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品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
描述： TRANS 2NPN 25V 0.05A SOT363
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替代：
系列：-
晶体管类型 ：2 NPN（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：50mA
功率 - 最大值：350mW
频率 - 跃迁：50MHz
丝印：
外壳：
封装：SOT-363
料号：JTG4-3736
包装：
参考价格:￥4.949400
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可供数量:咨询
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品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
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参数： * 晶体管类型 :4 NPN（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:650mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装:管件 * 晶体管类型 :4 PNP（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V * 功率 - 最大值:650mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装:管件 * 晶体管类型 :4 NPN（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:650mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装:管件 * 晶体管类型 :4 NPN（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V * 功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装:管件 * 晶体管类型 :4 PNP（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:散装 * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR） * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR） * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:散装 * 晶体管类型 :2 NPN，2 PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V * 功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，1V * 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:500MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 100µA，5V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100µA，5V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:40MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
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晶体管类型 ：2 PNP（双）
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外壳：
封装：SOT-363
料号：JTG4-3751
包装：
参考价格:￥4.949400
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描述： TRANS 2NPN 60V 0.2A SOT363
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晶体管类型 ：2 NPN（双）
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外壳：
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参考价格:￥4.949400
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品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
描述： TRANS 2PNP 60V 0.6A SOT563
参数： * 晶体管类型 :4 NPN（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:650mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装:管件 * 晶体管类型 :4 PNP（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V * 功率 - 最大值:650mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装:管件 * 晶体管类型 :4 NPN（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:650mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装:管件 * 晶体管类型 :4 NPN（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V * 功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装:管件 * 晶体管类型 :4 PNP（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:散装 * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR） * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR） * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:散装 * 晶体管类型 :2 NPN，2 PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V * 功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，1V * 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:500MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 100µA，5V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100µA，5V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:40MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR） * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR）
替代：
系列：-
晶体管类型 ：2 PNP（双）
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功率 - 最大值：350mW
频率 - 跃迁：200MHz
丝印：
外壳：
封装：SOT-563
料号：JTG4-2977
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥4.949400
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可供数量:咨询
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总额：
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品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
描述： TRANS ARRAY 60V 0.2A SOT563
参数： * 晶体管类型 :4 NPN（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:650mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装:管件 * 晶体管类型 :4 PNP（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V * 功率 - 最大值:650mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装:管件 * 晶体管类型 :4 NPN（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:650mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装:管件 * 晶体管类型 :4 NPN（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V * 功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装:管件 * 晶体管类型 :4 PNP（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:散装 * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR） * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR） * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:散装 * 晶体管类型 :2 NPN，2 PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V * 功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，1V * 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:500MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 100µA，5V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100µA，5V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:40MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR） * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR） * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 5mA，50mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 100mA，1V / 150 @ 10mA，1V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR）
替代：
系列：-
晶体管类型 ：NPN，PNP
电流 - 集电极（ic）（最大值）：200mA
功率 - 最大值：150mW
频率 - 跃迁：300MHz
丝印：
外壳：
封装：SOT-563
料号：JTG4-2978
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥4.949400
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品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
描述： TRANS 2PNP 60V 0.6A SOT363
参数： * 晶体管类型 :4 NPN（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:650mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装:管件 * 晶体管类型 :4 PNP（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V * 功率 - 最大值:650mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装:管件 * 晶体管类型 :4 NPN（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:650mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装:管件 * 晶体管类型 :4 NPN（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V * 功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装:管件 * 晶体管类型 :4 PNP（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:散装 * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR） * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR） * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:散装 * 晶体管类型 :2 NPN，2 PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V * 功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，1V * 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:500MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 100µA，5V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100µA，5V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:40MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR） * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR） * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 5mA，50mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 100mA，1V / 150 @ 10mA，1V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR） * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR）
替代：
系列：-
晶体管类型 ：2 PNP（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：600mA
功率 - 最大值：350mW
频率 - 跃迁：200MHz
丝印：
外壳：
封装：SOT-363
料号：JTG4-2979
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥4.949400
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品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
描述： TRANS 2NPN 75V 0.6A SOT363
参数： * 晶体管类型 :4 NPN（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:650mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装:管件 * 晶体管类型 :4 PNP（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V * 功率 - 最大值:650mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装:管件 * 晶体管类型 :4 NPN（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:650mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装:管件 * 晶体管类型 :4 NPN（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V * 功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装:管件 * 晶体管类型 :4 PNP（四路） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:1W *频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:散装 * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR） * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR） * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:散装 * 晶体管类型 :2 NPN，2 PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V * 功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，1V * 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:500MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 100µA，5V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100µA，5V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:40MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR） * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR） * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 5mA，50mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 100mA，1V / 150 @ 10mA，1V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR） * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR） * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V * 功率 - 最大值:350mW *频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR）
替代：
系列：-
晶体管类型 ：2 NPN（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：600mA
功率 - 最大值：350mW
频率 - 跃迁：300MHz
丝印：
外壳：
封装：SOT-363
料号：JTG4-2980
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥4.949400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKT2222A TR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
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